<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>DSpace Collection:</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/6788</link>
    <description />
    <pubDate>Fri, 15 May 2026 10:37:57 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-05-15T10:37:57Z</dc:date>
    <item>
      <title>Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/6969</link>
      <description>Title: Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС
Authors: Новосядлий, Степан Петрович; Босацький, А. М.
Abstract: Зменшення розмірів кремнієвих приладів супровуджується збільшенням ефективної швидкості&#xD;
електронів, зменшенням їх пролітного часу і переходом до балістичного режиму роботи. Одночасно, як&#xD;
наслідок, із зменшенням розмірів знижується і споживана потужність. Формування структур ВІС на Siгомопереході зменшує їх частотний діапазон та швидкодію.&#xD;
Сучасними світовими розробниками було запропоновано декілька нових типів приладів і технологій&#xD;
формування їх структур, які використовують переваги високих значень швидкості і рухливості електронів&#xD;
в GaAs, а також використання малих розмірів структур. До них відносяться, наприклад, польові&#xD;
транзистори на гетероструктурах із сегментованим легуванням (СЛПТ), біполярні транзистори (БГТ) із&#xD;
широкозонним емітером, транзистором з проникливою базою , вертикальні балістичні транзистори,&#xD;
прилади з плоско-легованими бар'єрами і транзистори на гарячих електронах, як елементної бази&#xD;
сучасних сучасних швидкодіючих ВІС.&#xD;
В даній статті ми зупинимось варізонної технології формування структур як біполяних, так і&#xD;
польових транзисторів, які стануть основою сучасних швидкодіючих ВІС .</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/6969</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Дослідження закономірностей горіння газозависів вуглецевих частинок</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/6968</link>
      <description>Title: Дослідження закономірностей горіння газозависів вуглецевих частинок
Authors: Орловська, Світлана Георгіївна
Abstract: Проведено фізико-математичне моделювання високотемпературного тепломасообміну та кінетики&#xD;
хімічних реакцій полідисперсного газозавису вуглецевих частинок з урахуванням внутрішнього&#xD;
реагування в порах та стефанівської течії на поверхні частинк. Проведено розрахунки режимів горіння&#xD;
двофракційних газозависів з розмірами частинок, які відрізняються між собою в 2 і 3 рази, при однакових&#xD;
масових концентраціях кожної із фракцій. Показано, що період індукції крупних фракцій двофракційного&#xD;
газозавису значно менший періоду індукції частинок цих же розмірів в умовах монозавису з однаковими&#xD;
масовими концентраціями палива. Для дрібних фракцій встановлено значне зменшення часу горіння в&#xD;
умовах двофракційних систем. Доказано, що двофракційні газозависи мають вищу температуру горіння в&#xD;
порівнянні з монодисперсними газозависами з тими ж розмірами частинок і масовими концентраціями</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/6968</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Міцність вуглецевих наноплівок</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/6967</link>
      <description>Title: Міцність вуглецевих наноплівок
Authors: Пеленський, Роман Андрійович
Abstract: Наночастинки, нанодротики і наноплівки мають дуже високу міцність, яка може перевершувати&#xD;
міцність сталі у десятки разів. Причиною цього явища можна вважати зменшення міжатомних віддалей у&#xD;
наноструктурі. Завдяки надвисокій міцності нановироби стають винятково цінним матеріалом в&#xD;
технологіях відновлювання деталей і виробів</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/6967</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Витискування елементів проникнення в перехідній зоні під дифузійними шарами, що зростають</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/6966</link>
      <description>Title: Витискування елементів проникнення в перехідній зоні під дифузійними шарами, що зростають
Authors: Нестеренко, Олег Іванович; Нестеренко, Микола Григорович
Abstract: Розглянута кінетика дифузії элементів проникнення на приикладі дифузійного насичення бором та&#xD;
сіліцієм залізо-вуглецевої матриці ( g -залізо). В процесі дифузійного насичення утворюються і ростуть&#xD;
шари інтерметалідів системи Fe-B-Si, а вуглець витискується углиб матриці. Розглянуті лінійний,&#xD;
параболічний та логарифмічний закони руху міжфазної границі між шарами інтерметалідів і сталевою&#xD;
матрицею та розв'язані задачі про дифузійний перерозподіл вуглецю в переходній зоні. Встановлено, що в&#xD;
усіх розглянутих випадках внаслідок виштовхування вуглецю відбувається підвищення його концентрації&#xD;
на рухомій міжфазній границі. У випадку: а)лінійного закону руху концентрація вуглецю на міжфазній&#xD;
границі зростає пропорційно товщині нанесеного захисного покриття; б) параболічного закону руху&#xD;
концентрація вуглецю на границі залишається сталою; в) логарифмічного закону руху концентрація&#xD;
вуглецю на міжфазній зменшується з часом</description>
      <pubDate>Thu, 01 Jan 2015 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/6966</guid>
      <dc:date>2015-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

