<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>DSpace Collection:</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/17427</link>
    <description />
    <pubDate>Fri, 15 May 2026 09:59:39 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-05-15T09:59:39Z</dc:date>
    <item>
      <title>Моделювання інтегральних перетворювачів сигналів для біомедичних сенсорних мікросистем</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/17648</link>
      <description>Title: Моделювання інтегральних перетворювачів сигналів для біомедичних сенсорних мікросистем
Authors: Когут, Ігор Тимофійович; Дзундза, Богдан Степанович; Голота, Віктор Іванович; Бульбук, Олександр Іванович; Федорюк, В. В.; Никируй, Любомир Іванович
Abstract: В роботі наведено результати комп’ютерного моделювання запропонованої функціонально-електричної схеми інтегрального перетворювачів сигналів (ІПС) від фото- чутливих елементів на основі КМОН-операційних підсилювачів, що призначена для побудови елементної бази гібридних сенсорних мікросистем для біомедичних застосувань. Особливістю даного ІПС є регулювання та фільтрація амплітуди постійної складової у підсиленому сигналі від діодного фоточутливого елементу в діапазоні хвиль 400 - 1040 нм.&#xD;
&#xD;
Проведено комп’ютерне моделювання функціонування пристрою, визначено складові компоненти і проведено їх параметричну оптимізацію. Результати експериментальних досліджень і комп’ютерного моделювання добре співпадають, що підтверджує правильність функціонування запропонованого перетворювача сигналів від фоточутливих елементів. Розроблений ІПС є придатним для створення реальних пристроїв, як на основі дискретних компонентів, так і в інтегральному виконанні, як елемент сенсорних мікросистем-на-кристалі або інтелектуальних сенсорів.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2023 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/17648</guid>
      <dc:date>2023-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Детектори електромагнітного поля на основі пристроїв спінтроніки</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/17646</link>
      <description>Title: Детектори електромагнітного поля на основі пристроїв спінтроніки
Authors: Політанський, Руслан Леонідович; Шпатар, Петро Михайлович; Вісьтак, Марія Володимирівна; Когут, Ігор Тимофійович; Дісковський, Іван Сергійович; Рудяк, Юрій Аронович
Abstract: У роботі запропонована модель сенсора електромагнітного випромінювання, який використовує прецесію вектора намагніченості у феромагнетику (феромагнітний резонанс) внаслідок поглинання енергії падаючої електромагнітної хвилі, генерування спінового струму внаслідок цієї прецесії, генерування спін-поляризованого струму внаслідок проходження спінового струму у немагнітному металі, і зміну напряму намагніченості феромагнітного шару із низькою коерцитивною силою (вільного шару) внаслідок проходження спін-поляризованого струму. Тоді випромінювання детектуватиметься за його дією на електричний опір усієї структури, який залежить від взаємних напрямів (паралельні або антипаралельні) намагніченості вільного і закріпленого (із великою коерцитивною силою) феромагнітних шарів (явище гігантського магнітного опору). Розраховані залежності спін-поляризованого струму у пристрої від частоти та амплітуди падаючої електромагнітної хвилі із лінійною поляризацією. Розроблена методика розрахунку діапазону значень амплітуди і частоти випромінювання, яке може детектувати сенсор. Параметрами цієї моделі є час детектування і кількість спінових вентилів у одному сенсорі. Приведені розрахунки для феромагнітного шару, виготовленому із пермалою, та для спінових вентилів із чотирма різними значеннями критичного струму, які визначають процес перемагнічування вільного шару: 20, 50, 100 і 200 мікроампер.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2023 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/17646</guid>
      <dc:date>2023-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Кристалічна структура і електрохімічне гідрування твердого розчину HoNiIn1-xAlx (x = 0-1)</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/17637</link>
      <description>Title: Кристалічна структура і електрохімічне гідрування твердого розчину HoNiIn1-xAlx (x = 0-1)
Authors: Ничипорук, Галина Павлівна; Кордан, Василь Михайлович; Горяча, Мирослава Миронівна; Галятовський, Б.; Гудзьо, О.; Заремба, Василь Іванович; Павлюк, Володимир Васильович
Abstract: Вплив заміщення індію на алюміній у сполуці HoNiIn досліджено методами рентгенівської дифракції і EDX аналізу у повному концентраційному інтервалі за температури 873 K. Визначено утворення і уточнено параметри елементарної комірки неперервного твердого розчину HoNiIn1,0–0Al0–1,0 (структурний тип ZrNiAl; просторова група P-62m; a = 0,74343(4)–0,69959(6); c = 0,37472(3)–0,38289(4) нм, V = 0,17936(2)–0,16229(3) нм3).&#xD;
Найкраща розрядна здатність після досліджень електрохімічного гідрування твердого розчину HoNiIn1,0–0Al0–1,0 спостерігається для прототипів акумуляторів з електродами на основі фаз HoNiIn0,2Al0,8 та HoNiIn0,4Al0,6.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2023 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/17637</guid>
      <dc:date>2023-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Вплив добавки B2O3 на оптичні властивості тетрафторидів Цирконію та Гафнію у полікристалічному й тонкоплівкому станах</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/17631</link>
      <description>Title: Вплив добавки B2O3 на оптичні властивості тетрафторидів Цирконію та Гафнію у полікристалічному й тонкоплівкому станах
Authors: Зінченко, Віктор Федосійович; Вольчак, Ганна Василівна; Мозкова, Ольга Володимирівна; Єрьомін, Олег Георгійович; Дога, Павло Геннадійович
Abstract: Уперше досліджено вплив добавки B2O3 на ІЧ спектри пропускання зразків ZrF4 та HfF4 та оптичні властивості одержаних з них покриттів. Виявлено суттєву відмінність форми смуг поглинання та положення піків коливань зв’язків тетрафториду Цирконію та тетрафториду Гафнію. Висунуто припущення про вплив поліморфізму ZrF4 на співвідношення пружностей пари зазначених сполук в області умовної температури випаровування у глибокому вакуумі. Показано позитивний вплив добавки B2O3 на швидкість випаровування зразків систем та конденсації на підкладках. Значення показників заломлення покриттів становлять біля 1.53. Виняток становить показник заломлення покриття з HfF4 (1.57), який можна віднести на рахунок моноклінної сингонії його кристалічної структури.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2023 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/17631</guid>
      <dc:date>2023-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

