<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" version="2.0">
  <channel>
    <title>DSpace Collection:</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/14940</link>
    <description />
    <pubDate>Fri, 15 May 2026 09:53:37 GMT</pubDate>
    <dc:date>2026-05-15T09:53:37Z</dc:date>
    <item>
      <title>Растрова електронна та атомно - силова мікроскопії радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електронному опроміненні</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/15254</link>
      <description>Title: Растрова електронна та атомно - силова мікроскопії радіолізу поверхонь плівок CsI при високоінтенсивному електронному опроміненні
Authors: Галій, Павло Васильович; Ненчук, Тарас Миколайович; Поплавський, Омелян Павлович; Тузяк, Оксана Ярославівна
Abstract: У роботі наведені результати дослідження методами растрової електронної та атомно-силової&#xD;
мікроскопій закономірностей процесів деструкції, дефектоутворення і радіолізу поверхні плівок СsІ при&#xD;
опроміненні електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено&#xD;
потужності та дози опромінення, при яких відбувається поява фазових наноутворень та нано- і мікропор на&#xD;
поверхні СsІ, що отримано вперше методом атомно-силової мікроскопії на нанорівні. Встановлені дози&#xD;
електронного опромінення, при яких має місце радіоліз поверхні плівок СsІ з “виділенням” нано- і мікрофаз&#xD;
та формування наноутворень на них.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/15254</guid>
      <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Діагностика магнітної анізотропії епітаксійних плівок ферогранатів</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/15251</link>
      <description>Title: Діагностика магнітної анізотропії епітаксійних плівок ферогранатів
Authors: Ющук, Степан Іванович; Юр’єв, Сергій Олексійович
Abstract: Проаналізовано причини виникнення одновісної магнітної анізотропії (ОМА) в епітаксійних плівках&#xD;
ферогранатів. Запропоновано метод вимірювання поля (&#xD;
K&#xD;
H ) ОМА. В основу методу покладено визначення з&#xD;
допомогою ефекту Фарадея залежності поздовжньої сприйнятливості плівкового зразка від поперечного&#xD;
постійного магнітного поля, перпендикулярного до вісі легкого намагнічування. Наведено блок-схему&#xD;
вимірювальної установки. Відносна похибка вимірювання&#xD;
K&#xD;
H не перевищує 5 %.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/15251</guid>
      <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/15159</link>
      <description>Title: Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля
Authors: Павлик, Богдан Васильович; Леновенко, А. М.; Грипа, Андрій Сергійович
Abstract: Представлені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в&#xD;
термометрії.&#xD;
Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х - променів) та слабких магнітних полів на&#xD;
електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А.&#xD;
З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на&#xD;
початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних&#xD;
процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна&#xD;
пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне&#xD;
поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на&#xD;
дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід.&#xD;
Дія рентгенівських променів (D &lt; 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не&#xD;
змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих&#xD;
характеристик у вищезгаданих умовах.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/15159</guid>
      <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
    <item>
      <title>Автоматизація вимірювань електричних параметрів напівпровідникових плівок</title>
      <link>http://hdl.handle.net/123456789/15158</link>
      <description>Title: Автоматизація вимірювань електричних параметрів напівпровідникових плівок
Authors: Фреїк, Дмитро Михайлович; Дзундза, Богдан Степанович; Ткачук, Андрій Іванович; Кушнір, Т. П.
Abstract: Описано методику вимірювання електричних параметрів напівпровідникових плівок. Представлена&#xD;
електрична схема та розроблена комп’ютерна програма, що забезпечує автоматизацію вимірювань,&#xD;
реєстрацією і первинною обробку даних, з можливість побудови графіків часових залежностей для&#xD;
попереднього аналізу експериментальних даних вже в процесі вимірювання.</description>
      <pubDate>Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT</pubDate>
      <guid isPermaLink="false">http://hdl.handle.net/123456789/15158</guid>
      <dc:date>2012-01-01T00:00:00Z</dc:date>
    </item>
  </channel>
</rss>

