DSpace Collection:

Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС

Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT

Title: Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС Authors: Новосядлий, Степан Петрович; Атаманюк, Роман Богданович; Сорохтей, Тарас Романович; Мельник, Л. В.; Возняк, Юрій Володимирович Abstract: Важлива проблема сучасної мікроелектроніки – це створення нових матеріалів та вакуумних процесів на їх основі, які б дозволили об‘єднати технологічні операції виготовлення субмікронних структур в єдиному автоматизованому циклі і досягнути степені інтеграції 8 10 7 10- - - елементів на кристалі з використання кластерного обладнання. Саме проблема технологічної інтеграції в значній степені стримується літографічними процесами , з допомогою яких формується необхідна конфігурація окремих елементів мікросхеми. Сьогодні ці процеси здійснюються хімічними методами, які основані на рідинних процесах, що і порушує єдність замкнутого технологічного циклу і вимагає великих витрат високо отруйних розчинників. Тут треба підкреслити , що на обробку єдиної кремнієвої пластини витрачається 5л органічних розчинників. Рідинні процеси літографії є серйозним бар‘єром в отриманні субмікронних розмірів (<1мкм) внаслідок ізотропності процесів проявлення і травлення Таким чином , існуюча літографія не відповідає сучасним вимогам технології формування структур ВІС. Матеріали даної статті визначають сучасні методи сухої літографії в контексті формування суб-і наномікронних структур швидких ВІС .

Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки

Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT

Title: Дослідження Ga-In в контакті з Si, Ge і SiGe дротами для сенсорної техніки Authors: Дружинін, Анатолій Олександрович; Ховерко, Юрій Миколайович; Островський, Ігор Петрович; Нічкало, Степан Ігорович; Ніколаєва, А. А.; Конопко, Л. А.; Стич, І. Abstract: Опір і магнітоопір Si, Ge і Si-Ge мікро-і нанодротів досліджувалися в температурному діапазоні 4,2 – 300 К в магнітних полях до 14 Тл. Діаметри дротів від 200 нм до 20 мкм. Ga-In шлюзи були створені для дротів і досліджені омічні характеристики I-U на всьому температурному діапазоні. Було встановлено, високі пружні деформації для нанодротів Ge (близько 0,7%), а також високий магнітоопір (близько 250% при 14 Тл), що було використано для розробки багатофункціональних датчиків одночасного вимірювання напруги і напруженості магнітного поля.

The Process of Periodic Structures Fabrication in Photocurable Composite Materials

Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT

Title: The Process of Periodic Structures Fabrication in Photocurable Composite Materials Authors: Vorzobova, N.; Bulgakova, V.; Burunkova, Yu.; Moskalenko, A. Abstract: Possibility of interference method realization using monomeric compositions and nanocomposites is shown. Periodic structures with submicronic and nanoscale elements and diffraction efficiency up to 50 % were obtained. It is shown that ZnO nanoparticle doping and nanoparticle concentration increasing leads to diffraction efficiency growth. Probable mechanisms and a role of diffusion processes at structures formation are determined.

Тонкі плівки пористого оксиду алюмінію, одержані імпульсним лазерним осадженням, для поверхневих плазмон-поляритонних сенсорних структур

Sun, 01 Jan 2012 00:00:00 GMT

Title: Тонкі плівки пористого оксиду алюмінію, одержані імпульсним лазерним осадженням, для поверхневих плазмон-поляритонних сенсорних структур Authors: Ушенін, Ю. В.; Христосенко, Роман Васильович; Самойлов, Антон Володимирович; Громовий, Юрій Сергійович; Каганович, Елла Борисівна; Манойлов, Едуард Геннадійович; Кравченко, С. О.; Снопок, Борис Анатолійович Abstract: Імпульсним лазерним осадженням зі зворотного низькоенергетичного потоку частинок ерозійного факелу на золоту поверхню перетворювачів поверхневого плазмонного резонансу (ППР), розташованих в площині мішені були отримані тонкі плівки пористого оксиду алюмінію. Виміряні кутові залежності ППР в геометрії Кречмана були апроксимовані оптичною моделлю на основі рівнянь Френеля з ефективним показником заломлення (1.30 – 1.17) і коефіцієнтом екстинкції (k ≈ 0) для плівок товщиною 200 – 35 нм. На основі аналізу даних ППР досліджень, мікроскопії атомних сил і кварцевого мікробалансу була запропонована модель формування пористих плівок оксиду алюмінію. Отримані плівки можуть бути використані для створення різноманітних елементів плазмонної оптоелектроніки, зокрема, високочутливих елементів оптоелектронних сенсорних систем для аналізу в газах або рідинах.