<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<rdf:RDF xmlns:rdf="http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#" xmlns="http://purl.org/rss/1.0/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <channel rdf:about="http://hdl.handle.net/123456789/23815">
    <title>DSpace Collection:</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/23815</link>
    <description />
    <items>
      <rdf:Seq>
        <rdf:li rdf:resource="http://hdl.handle.net/123456789/25531" />
        <rdf:li rdf:resource="http://hdl.handle.net/123456789/25529" />
        <rdf:li rdf:resource="http://hdl.handle.net/123456789/25524" />
        <rdf:li rdf:resource="http://hdl.handle.net/123456789/25521" />
      </rdf:Seq>
    </items>
    <dc:date>2026-06-09T22:33:51Z</dc:date>
  </channel>
  <item rdf:about="http://hdl.handle.net/123456789/25531">
    <title>Дослідження проникності цементного каменя на основі композиційного тампонажного матеріалу для нафтогазових свердловин</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/25531</link>
    <description>Title: Дослідження проникності цементного каменя на основі композиційного тампонажного матеріалу для нафтогазових свердловин
Authors: Ставичний, Євген Михайлович; Фем՚як, Ярослав Михайлович; Витязь, Олег Юлійович; Тершак, Б. А.; Плитус, М. М.; Клим’юк, М. М.; Кіндрат, В. В.
Abstract: Проаналізовано стан видобувного потенціалу вуглеводнів родовищ України з оглядом минулого, сьогодення та подальшого майбутнього з передумови вилучення нафти і газу на родовищах з важковидобувними запасами. Встановлено, що значні обсяги вуглеводнів відноситься до категорії родовищ з важковидобувними запасами. Забезпечення надійного розмежування горизонтів в таких умовах потребує застосування тампонажних матеріалів, здатних формувати цементний камінь з відповідними експлуатаційними характеристиками.&#xD;
Визначено основні технологічні параметри тампонажного розчину на основі матеріалу DRCT та ПЦТ І-100, а також їх фізико-механічні властивості цементного каменю. За результатами досліджень, як за параметрами тампонажного розчину, так і за фізико-механічними властивостями цементного каменю отримано перевагу та покращені значення показників для тампонажного матеріалу на основі композиційного цементу DRCT у порівнянні з ПЦТ І-100.&#xD;
Дослідження РФА та кількісний аналіз елементного складу для взірців цементного каменю на основі тампонажного матеріалу DRCT проведено в умовах зберігання у пластовій воді хлоркальцієвого типу та прісній воді. Встановлено, що сформований цементний камінь на основі DRCT володіє щільно упакованою структурою. Оцінено проникність взірців цементного каменю для DRCT в умовах зберігання прісної та пластової води. Газопроникність для досліджуваних взірців є практично однаковою, що свідчить про відсутність деградабельного впливу на цементний камінь. Отримані результати досліджень технологічних властивостей тампонажного розчину та експлуатаційних властивостей цементного каменю тампонажного матеріалу DRCT свідчать про відповідність матеріалу DRCT для цементування обсадних колон нафтогазових свердловин. Результати впровадження тампонажного матеріалу на основі DRCT під час цементування 127 мм колони-хвостовика у свердловині №105 Верхньомасловецького родовища підтвердили успішність його застосування.</description>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="http://hdl.handle.net/123456789/25529">
    <title>Короткий порівняльний аналіз перспектив використання тривимірних FIN FET-транзисторів для сенсорної електроніки</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/25529</link>
    <description>Title: Короткий порівняльний аналіз перспектив використання тривимірних FIN FET-транзисторів для сенсорної електроніки
Authors: Когут, Ігор Тимофійович; Самарчук, О. Є.
Abstract: Розвиток сучасної електроніки ґрунтується на впровадженні сучасних мікро- та наноелектронних технологій. Традиційні комплементарні метал-оксид-напівпровідникові (КМОН)  планарні транзисторні структури на основі масивного кремнію поступово поступаються  більш досконалим структурам з кращими електричними, часовими,  енергетичними характеристиками, радіаційною стійкістю на основі тривимірних структур (3D) «кремній-на-ізоляторі" які забезпечують кращі електричні характеристики, вищу швидкодію, енергоефективність  з можливостями подальшого масштабування. Перспективними  напрямами використання як для традиційних мікросхем, так і сенсорної електроніки  є використання 3D-нанометрових транзисторів типу FinFET, Gate-All-Around (GAA), а також на основі нанолистів (Nano-sheet) та нанодротів (Nanowire). В роботі розглянуто структури таких типів КНІ нанометрових 3D-транзисторів і приклади можливостей їх використання  у сенсорній електроніці.</description>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="http://hdl.handle.net/123456789/25524">
    <title>Вплив режимів гарячого деформування на структуру, механічні та триботехнічні властивості порошкових композитів системи AL-ТІС</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/25524</link>
    <description>Title: Вплив режимів гарячого деформування на структуру, механічні та триботехнічні властивості порошкових композитів системи AL-ТІС
Authors: Кирилюк, Євгенія Сергіївна; Кирилюк, Степан Федорович; Баглюк, Геннадій Анатолійович; Шишкіна, Юлія Олександрівна; Ситник, Ярослав Анатолійович
Abstract: У роботі досліджено структуру, фазовий склад, механічні та триботехнічні властивості алюмінієвих матричних композитів, отриманих методом гарячого кування. Результати локального фазового аналізу показали, що гарячештамповані алюмоматричні композити складаються з алюмінієвої матриці та дисперсних включеннями карбіду титану. Значення твердості за школою HRb коливаються від 69,1-80 (для зразків із 45-50%, (мас.) Al) та до 73,7-76 (55-60 %, (мас.) Al) та міцності при стисненні становлять σв=450-600 МПа; σ0,2=350-509 МПа в залежності від складу та температури попереднього нагріву. AMCs при достатньо високій міцності здатні до пластичного деформування ε-5,3-9,19%. Результати триботехнічних досліджень показали, що при випробуванні композиту в парі з міддю зразки без надлишкового вуглецю інтенсивно зношуються через взаємну адгезію алюмінієвої матриці композиту та міді. В свою чергу композити які містять залишковий вуглець показали стійкість в більше чим в 100 раз по відношенню до складів без надлишкового вуглецю.</description>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
  <item rdf:about="http://hdl.handle.net/123456789/25521">
    <title>Отримання і деякі електрофізичні властивості сполуки Sn(Pb)SbBiS4 та твердих розчинів на основі SnSbBiS4</title>
    <link>http://hdl.handle.net/123456789/25521</link>
    <description>Title: Отримання і деякі електрофізичні властивості сполуки Sn(Pb)SbBiS4 та твердих розчинів на основі SnSbBiS4
Authors: Маммадов, Ш. Г.; Гурбанов, Гусейн
Abstract: У процесі вивчення потрійної системи Sb2S3-Sn(Pb)S-Bi2S3 було встановлено, що в областях Sn(Pb)Sb2S4-Sn(Pb)Bi2S4 формується четвертинні сполуки складу SnSbBiS4, PbSbBiS4. А у системі SnSbBiS4-SnS утворюються тверді розчини на основі вихідних компонентів. Було досліджено їх електропровідність та температурну залежність термоелектричних властивостей у широкому діапазоні. Результати вимірювань температурної залежності електропровідності показали, що зразки мають напівпровідниковий характер провідності в усьому дослідженому температурному інтервалі. Встановлено, що всі зразки є напівпровідниками n-типу. Сполуки SnSbBiS4 і PbSbBiS4 характеризуються високою фоточутливістю в ІЧ-області спектра. При робочій напрузі 10-20 В, відношення Rd/ Rl становить 1,1⸱103÷1,4⸱103.</description>
    <dc:date>2025-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </item>
</rdf:RDF>

