http://hdl.handle.net/123456789/10832 2026-05-15T10:39:08Z http://hdl.handle.net/123456789/15052 Title: Вплив механічної та хімічної обробок поверхні на спектри низькотемпературної фотолюмінесценції кристалів ZnSe Authors: Томашик, Зінаїда Федорівна; Стратійчук, Ірина Борисівна; Будзуляк, Сергій Іванович; Кравцова, А. С.; Томашик, Василь Миколайович; Галкін, Сергій Миколайович; Сосницька, О. О.; Калитчук, Сергій Михайлович; Корбутяк, Дмитро Васильович; Демчина, Любомир Андрійович Abstract: Встановлено закономірності процесів механічної обробки та хімічного полірування нелегованих та легованих телуром і алюмінієм монокристалів ZnSe, досліджено стан поверхні кристалів методом електронної мікроскопії. Вивчено спектри низькотемпературної (Т = 5 К) фотолюмінесценції (ФЛ) кристалів, ідентифіковані відповідні смуги в екситонній і домішковій областях спектру, проаналізована залежність інтенсивності та енергетичного положення смуг фотолюмінесценції від типу легуючої домішки і способу механічної і хімічної обробки досліджуваних матеріалів. 2012-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/10913 Title: Оптичні характеристики вузькосмугових фільтрів порушеного повного внутрішнього відбивання з нерозщепленою смугою пропускання Authors: Овчаренко, Олександр Петрович; Білозерцева, Віолетта Іванівна; Гаман, Д. О. Abstract: В цій роботі розглянуто оптичні характеристики вузькосмугових п’ятишарових фільтрів порушеного повного внутрішнього відбивання з нерозщепленою смугою пропускання. Показано, що усунення розщеплення смуги пропускання досягаєтья зміною товщини середнього шару. 2013-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/10912 Title: Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures Authors: Druzhinin, A.; Kogut, I.; Khoverko, Yu.; Vuitsyk, A. Abstract: The studies of temperature dependence of conductivity and magnetoresistance of SOI-structures with polysilicon resistors with carrier concentration 2,4·1018 сm -3 before recrystallization in temperature range 4,2 – 300 K are presented. The dimensions of polysilicon resistor in SOI-structure are 80 mm × 8 mm × 0,5 mm. 2013-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/10911 Title: Експлуатаційні характеристики термоелектричних модулів на прикладі системи «Сонячний колектор-термоелектричний генератор» Authors: Дзумедзей, Роман Олексійович; Борик, Віктор Васильович Abstract: Представлено систему «Сонячний колектор-термоелектричний генератор», яка являє собою поєднання двох джерел альтернативної енергії в одному пристрої. Подано аналіз існуючого ринку ТЕ модулів та вказано на переваги ТЕ модулів нашого виробництва. Представлено ключові показники розробленого бізнес-плану. 2013-01-01T00:00:00Z