http://hdl.handle.net/123456789/10746 2026-05-15T10:35:56Z http://hdl.handle.net/123456789/10803 Title: Оптичні та структурно-дефектні характеристики нанокристалів CdS:Cu і CdS:Zn, синтезованих в полімерних матрицях Authors: Корбутяк, Дмитро Васильович; Токарев, С. В.; Будзуляк, Сергій Іванович; Кладько, Василь Петрович; Поліщук, Юлія Олегівна; Шевчук, О. М.; Ільчук, Григорій Архипович; Токарев, Віктор Сергійович Abstract: Розроблено технологію синтезу нанокристалів (НК) CdS:Cu та CdS:Zn в полімерних матрицях, проведено комплексні дослідження спектрів оптичного поглинання, фотолюмінесценції та рентгеноструктурного аналізу НК CdS в залежності від концентрації введених домішок Cu і Zn в межах (1 ¸ 10) %. Встановлено, що домішка Cu зосереджується на поверхні НК, пасивуючи дефекти вакансійного типу, які є поверхневими випромінювальними центрами. Домішка цинку, навпаки, проникає в об’єм НК CdS, створюючи додаткові поверхневі дефекти – центри випромінювальної рекомбінації. Внаслідок цього постійна кристалічної гратки НК CdS зменшується від d = 0,585 нм (для нелегованих НК CdS) до d = 0,581 нм (для легованих цинком НК CdS до рівня NZn = 10 %). 2013-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/10802 Title: Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO–p-InSe Authors: Катеринчук, Валерій Миколайович; Кудринський, Захар Русланович; Хомяк, В. В.; Орлецький, Іван Григорович; Нетяга, Віктор Васильович Abstract: Вперше виготовлені анізотипні гетеропереходи n-CdO-p-InSe на основі шаруватих кристалів InSe. Досліджені температурні залежності вольт-амперних характеристик гетеропереходів і визначені механізми струмопроходження через бар'єр при прямому і зворотному зміщеннях. Встановлена область їх фоточутливості. 2013-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/10801 Title: Релаксація деформацій у гетероструктурах Si/Ge з квантовими точками Authors: Курилюк, Василь Васильович; Коротченков, Олег Олександрович; Надточій, Андрій Борисович Abstract: З використанням методу скінченних елементів чисельно досліджено вплив тонкого шару SiО2, розташованого між підкладкою Si і Ge квантовими точками на релаксації напружень в підкладці. Також аналізуються супутні зміни зонної структури поблизу границі розділу. Експериментальні розподіли поверхневої фото-е.р.с. по поверхні зразків дозволяють виявити загальну структуру просторового розподілу фотогенерованих електронів і дірок поблизу границі розділу, що має відношення до розподілу центрів захоплення. 2013-01-01T00:00:00Z http://hdl.handle.net/123456789/10800 Title: Фотоелектричні характеристики гетероструктур ZnO/CuO Authors: Крегель, О. П.; Турко, Борис Ігорович; Панасюк, Мирон Романович; Дубов, Юрій Георгійович; Капустяник, Володимир Богданович; Лубочкова, Г. О. Abstract: Методом високочастотного магнетронного розпилення отримано гетероперехід n-ZnO/p-СuO. Вперше досліджено фоточутливість такої гетероструктури у діапазоні довжин хвиль від 600 до 2000 нм. Встановлено, що фотодіод має максимальну чутливість на довжинах хвиль 900-1100 нм. Крім цього, виявлено помітну чутливість в області довжин хвиль 1400 - 1600 нм, яку було пов’язано з фотодесорбцією кисню з верхнього шару ZnO. Виготовлений на основі структури n-ZnO/p-СuO фотодіод може бути використаний для детектування фотонів інфрачервоної ділянки спектру. 2013-01-01T00:00:00Z