<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Community:</title>
  <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/10098" />
  <subtitle />
  <id>http://hdl.handle.net/123456789/10098</id>
  <updated>2026-05-15T10:27:42Z</updated>
  <dc:date>2026-05-15T10:27:42Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Взаємозв’язок крайового кута змочування та кута скочування краплі з похилої поверхні</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/10740" />
    <author>
      <name>Касьяненко, І. М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Крамаренко, Віктор Юрійович</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/10740</id>
    <updated>2021-08-20T11:32:41Z</updated>
    <published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Взаємозв’язок крайового кута змочування та кута скочування краплі з похилої поверхні
Authors: Касьяненко, І. М.; Крамаренко, Віктор Юрійович
Abstract: Розглянуто задачу Френкеля щодо визначення взаємозв’язку між рівноважним крайовим кутом&#xD;
змочування та кутом скочування крапель з похилої поверхні. Встановлено, що між зворотнім синусом&#xD;
кута змочування та масою краплі у ступені 2/3 повинна виконуватися прямолінійна залежність, значення&#xD;
тангенса кута якої можна представити у вигляді добутку двох констант, одна з яких характеризується&#xD;
значеннями фізичних сталих рідини, а інша є тригонометричною функцією від рівноважного кута&#xD;
змочування. На основі запропонованого підходу показано можливості моделювання поведінки крапель на&#xD;
похилих поверхнях.</summary>
    <dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>A Porous Carbon Material of Organic Raw Materials of Vegetable Nature as an Electrode Component for Electric Double-Layer Capacitors</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/10739" />
    <author>
      <name>Kovalyuk, Z.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Mykytyuk, I.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Yurtsenyuk, N.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Yurtsenyuk, S.</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/10739</id>
    <updated>2022-12-21T09:54:33Z</updated>
    <published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: A Porous Carbon Material of Organic Raw Materials of Vegetable Nature as an Electrode Component for Electric Double-Layer Capacitors
Authors: Kovalyuk, Z.; Mykytyuk, I.; Yurtsenyuk, N.; Yurtsenyuk, S.
Abstract: In this paper we present investigations of nanoporous carbon materials from organic raw materials of&#xD;
vegetable nature appropriate to be used as an electrode component in supercapacitors with an aqueous electrolyte. For&#xD;
such materials the principal energy - capacity characteristics are determined. Some types of supercapacitors based&#xD;
on the obtained materials are developed and their parameters are investigated.</summary>
    <dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/10738" />
    <author>
      <name>Новосядлий, Степан Петрович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Марчук, С. М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Варварук, В. М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Мельник, Л. В.</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/10738</id>
    <updated>2021-08-20T11:05:13Z</updated>
    <published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Моделі напівізолюючих шарів арсеніду галію при їх формуванні багатозарядною іонною імплантацією
Authors: Новосядлий, Степан Петрович; Марчук, С. М.; Варварук, В. М.; Мельник, Л. В.
Abstract: Розроблена технологія багатозарядної імплантації домішок, які дозволяють формувати латеральні&#xD;
та вертикальні ізолюючі шари. Проведені експериментальні дослідження по створенню високоомних та&#xD;
термостабільних ізолюючих шарів в іонно-легованих n+&#xD;
-n-&#xD;
-i-структурах на напівізолюючому GaAs.</summary>
    <dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Поверхнева дифузія при електрокристалізації</title>
    <link rel="alternate" href="http://hdl.handle.net/123456789/10737" />
    <author>
      <name>Штапенко, Едуард Пилипович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Заблудовський, Володимир Олександрович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Дудкіна, В. В.</name>
    </author>
    <id>http://hdl.handle.net/123456789/10737</id>
    <updated>2021-08-20T09:26:46Z</updated>
    <published>2014-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Title: Поверхнева дифузія при електрокристалізації
Authors: Штапенко, Едуард Пилипович; Заблудовський, Володимир Олександрович; Дудкіна, В. В.
Abstract: Розглянута поверхнева дифузія ад-атомів нікелю, міді та заліза на власних підкладках при&#xD;
електрокристалізації. За допомогою квантово-механічного підходу визначено енергії активації для двох&#xD;
напрямків перескоку при різних потенціалах підкладки. Енергія активації поверхневої дифузії&#xD;
визначалася як різниця повної енергії кристала з ад-атомом в рівноважному адсорбційному стані, в якому&#xD;
енергія мінімальна і в перехідній седловій точці. Показано, що при збільшенні потенціалу поверхні&#xD;
відбувається збільшення енергії активації поверхневої дифузії.</summary>
    <dc:date>2014-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

